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IKB01N120H2 데이터시트(PDF) 4 Page - Infineon Technologies AG |
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IKB01N120H2 데이터시트(HTML) 4 Page - Infineon Technologies AG |
4 / 14 page IKB01N120H2 Power Semiconductors 4 Rev. 2.3 May 06 Switching Energy ZVT, Inductive Load Value Parameter Symbol Conditions min. typ. max. Unit IGBT Characteristic Turn-off energy Eoff VCC=800V, IC=1A, VGE=15V/0V, RG=241Ω, Cr 2) =1nF Tj=25°C Tj=150°C - - 0.02 0.044 - - mJ |
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