KMB6D6N30Q datasheet(3/5 Pages) KEC

부품명	KMB6D6N30Q

상세설명	N-Ch Trench MOSFET

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제조업체	KEC [KEC(Korea Electronics)]

홈페이지	http://www.keccorp.com

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2007. 3. 22

3/5

KMB6D6N30Q

Revision No : 1

Gate - Source Voltage VGS (V)

ID - VDS

Drain - Source Voltage VDS (V)

0

0.5

4

8

12

16

20

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

5

15

0

10

25

20

1.6

3.2

04.8

0.8

2.4

4.0

ID - VGS

IS - VSD

RDS(ON) - Tj

-75

-50

-25

25

50

75

125

100

0

1

10

20

0.2

0.8

1.2

0.6

1.0

0.4

Source - Drain Voltage VSD (V)

VGS = 0V

Vth - Tj

C - VDS

-75

-50

-25

0.6

0.8

0.9

0.7

1.3

1.0

1.1

1.2

0.6

0.8

1.4

1.8

1.0

1.6

1.2

050

100

25

125

75

10

15

0

5

20

30

Junction Temperature Tj (

)

C

Junction Temperature Tj (

)

C

0

200

1200

1000

400

600

800

V

GS=4.5V

V

GS=10V

V

GS=5V

V

GS=4V

V

GS=3.5V

V

GS=3V

V

DS = VGS

I

DS = 250µA

V

GS = 10V

I

D= 6A

Coss

Ciss

Crss

25 C

-55 C

125 C

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