전자부품 데이터시트 검색엔진 |
|
BUZ80 데이터시트(PDF) 8 Page - Siemens Semiconductor Group |
|
BUZ80 데이터시트(HTML) 8 Page - Siemens Semiconductor Group |
8 / 9 page Semiconductor Group 8 09/96 BUZ 80 Avalanche energy E AS = ƒ(Tj) parameter: ID = 3.1 A, VDD = 50 V RGS = 25 Ω, L = 62.4 mH 20 40 60 80 100 120 °C 160 T j 0 40 80 120 160 200 240 280 mJ 340 E AS Typ. gate charge VGS = ƒ(QGate) parameter: ID puls = 5 A 0 10 20 30 40 50 nC 70 Q Gate 0 2 4 6 8 10 12 V 16 V GS DS max V 0,8 DS max V 0,2 Drain-source breakdown voltage V (BR)DSS = ƒ(Tj) -60 -20 20 60 100 °C 160 T j 720 740 760 780 800 820 840 860 880 900 920 V 960 V (BR)DSS |
유사한 부품 번호 - BUZ80 |
|
유사한 설명 - BUZ80 |
|
|
링크 URL |
개인정보취급방침 |
ALLDATASHEET.CO.KR |
ALLDATASHEET 가 귀하에 도움이 되셨나요? [ DONATE ] |
Alldatasheet는? | 광고문의 | 운영자에게 연락하기 | 개인정보취급방침 | 링크교환 | 제조사별 검색 All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |