Q65110A1209 datasheet(2/8 Pages) OSRAM | Silizium-PIN-Fotodiode in SMT und als Reverse Gullwing

부품명	Q65110A1209

부품 상세설명	Silizium-PIN-Fotodiode in SMT und als Reverse Gullwing

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제조업체	OSRAM [OSRAM GmbH]

홈페이지	http://www.osram.com

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2007-05-23

2

BPW34, BPW34S, BPW34SR

Grenzwerte

Maximum Ratings

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

Betriebs- und Lagertemperatur

Operating and storage temperature range

T

op; Tstg

– 40 … + 100

° C

Sperrspannung

Reverse voltage

V

R

32

V

Verlustleistung,

T

A = 25 ° C

Total power dissipation

P

tot

150

mW

Kennwerte (

T

A = 25 ° C, Normlicht A, T = 2856 K)

Characteristics (

T

A = 25 ° C, standard light A, T = 2856 K)

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

Fotoempfindlichkeit,

V

R = 5 V

Spectral sensitivity

S

80 (

≥50)

nA/Ix

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit

Wavelength of max. sensitivity

λ

S max

850

nm

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

S = 10% von S

max

Spectral range of sensitivity

S = 10% of S

max

λ

400 … 1100

nm

Bestrahlungsempfindliche Fläche

Radiant sensitive area

A

7.00

mm

2

Abmessung der bestrahlungsempfindlichen

Fläche

Dimensions of radiant sensitive area

L

× B

L

× W

2.65

× 2.65

mm

× mm

Halbwinkel

Half angle

ϕ± 60

Grad

deg.

Dunkelstrom,

V

R = 10 V

Dark current

I

R

2 (

≤30)

nA

Spektrale Fotoempfindlichkeit,

λ = 850 nm

Spectral sensitivity

Sλ

0.62

A/W

Quantenausbeute,

λ = 850 nm

Quantum yield

η

0.90

Electrons

Photon

Leerlaufspannung,

E

v = 1000 Ix

Open-circuit voltage

V

O

365 (

≥ 300)

mV

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