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Q65110A1209 데이터시트(PDF) 2 Page - OSRAM GmbH

부품명 Q65110A1209
상세설명  Silizium-PIN-Fotodiode in SMT und als Reverse Gullwing
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제조업체  OSRAM [OSRAM GmbH]
홈페이지  http://www.osram.com
Logo OSRAM - OSRAM GmbH

Q65110A1209 데이터시트(HTML) 2 Page - OSRAM GmbH

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2007-05-23
2
BPW34, BPW34S, BPW34SR
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op; Tstg
– 40 … + 100
° C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
32
V
Verlustleistung,
T
A = 25 ° C
Total power dissipation
P
tot
150
mW
Kennwerte (
T
A = 25 ° C, Normlicht A, T = 2856 K)
Characteristics (
T
A = 25 ° C, standard light A, T = 2856 K)
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit,
V
R = 5 V
Spectral sensitivity
S
80 (
≥50)
nA/Ix
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
λ
S max
850
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10% von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10% of S
max
λ
400 … 1100
nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
A
7.00
mm
2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
L
× B
L
× W
2.65
× 2.65
mm
× mm
Halbwinkel
Half angle
ϕ± 60
Grad
deg.
Dunkelstrom,
V
R = 10 V
Dark current
I
R
2 (
≤30)
nA
Spektrale Fotoempfindlichkeit,
λ = 850 nm
Spectral sensitivity
Sλ
0.62
A/W
Quantenausbeute,
λ = 850 nm
Quantum yield
η
0.90
Electrons
Photon
Leerlaufspannung,
E
v = 1000 Ix
Open-circuit voltage
V
O
365 (
≥ 300)
mV


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