2SJ351 datasheet(2/8 Pages) HITACHI

부품명	2SJ351

상세설명	Silicon P-Channel MOS FET

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제조업체	HITACHI [Hitachi Semiconductor]

홈페이지	http://www.renesas.com/eng

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2SJ351, 2SJ352

2

Outline

D

G

S

1

2

3

TO-3P

1. Gate

2. Source

(Flange)

3. Drain

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Ratings

Unit

Drain to source voltage

2SJ351

V

DSX

–180

V

2SJ352

–200

Gate to source voltage

V

GSS

±20

V

Drain current

I

D

–8

A

Body to drain diode reverse drain current

I

DR

–8

A

Channel dissipation

Pch*

1

100

W

Channel temperature

Tch

150

°C

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

°C

Note:

1. Value at T

C = 25°C

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