Click To Buy

Demo (http://www.verypdf.com)

Micross Components Ltd, United Kingdom, Tel: +44 1603 788967, Fax: +44 1603788920, Email: chipcomponents@micross.com Web: www.micross.com

Features: 

Ultra‐High Speed Switching—tON: 1ns 

Ultra‐Low Reverse Capacitance: 0.2pF 

Low Turn‐On Threshold Voltage (1.5V max) 

N‐Channel Enhancement Mode 

Benefits: 

High‐Speed System Performance 

Low Insertion Loss at High Frequencies  

Low Transfer Signal Loss 

Single Supply Operation & Simple Driver Requirement 

Description: 

The SD210DE & SD214DE are enhancement‐mode MOSFETs designed 

for high speed low‐glitch switching in audio, video and high‐

frequency applications. The SD214DE is normally used for ±10V 

analog switching. These MOSFETs utilize lateral construction to 

achieve low capacitance and ultra‐fast switching speeds. These 

MOSFETs do not have a gate protection Zener diode which results in 

lower gate leakage and ± voltage capability from gate to substrate. A 

poly‐silicon gate is featured for manufacturing reliability. 

 

See SD5000 and SD54000 series for quad configurations. 

For zener protected versions see SD211DE / SST211 series 

Availability: 

SD210DE – TO‐72 hermetic package, ‐55°C to +125°C  

SD214DE – TO‐72 hermetic package, ‐55°C to +125°C 

SD210DE / SD214DE ‐ Bare die form 

 

MAXIMUM RATINGS 

LIMIT  

MAXIMUM RATINGS 

(Continued) 

LIMIT 

UNIT 

SD210DE 

SD214DE 

Gate‐Drain, Gate‐Source Voltage 

±40V 

±40V  

Drain Current 

50 

mA 

Gate‐Substrate Voltage 

±30V 

±30V  

Lead Temperature (1/16” from ease, 10s) 

300 

°C 

Drain‐Source Voltage 

30V 

20V  

Storage Temperature ‐65 to 150 

°C 

Source‐Drain Voltage 

10V 

20V  

Operating Junction Temperature ‐55 to 125 

°C 

Drain ‐Substrate Voltage 

30V 

25V  

Power Dissipation 

Derate 3mW/C° above 25°C 

 

300 

 

mW 

Source‐Substrate Voltage 

15V 

25V  

  

 

 

ELECTRICAL SPECIFICATION 

 

SYMBOL 

 

TEST CONDITIONS 

 

TYP 

LIMITS  

UNIT 

SD210DE 

SD214DE 

MIN 

MAX 

MIN 

MAX  

DRAIN‐SOURCE BREAKDOWN 

VOLTAGE

 

35 

30 ‐ 

‐ 

‐ 

 

 

 

 

V 

30 

10 ‐ 

20 ‐ 

SOURCE‐DRAIN BREAKDOWN 

VOLTAGE

 

22 

10 ‐ 

20 ‐ 

DRAIN‐SUBSTRATE BREAKDOWN 

VOLTAGE

 

Source Open 

35 

15 ‐ 

25 ‐ 

SOURCE‐SUBSTRATE BREAKDOWN 

VOLTAGE

 

Drain Open 

35 

15 ‐ 

25 ‐ 

DRAIN‐SOURCE LEAKAGE

 

 

0.4 ‐ 

10 ‐ 

‐ 

 

nA 

0.9 ‐ 

‐ 

‐ 

10 

SOURCE‐DRAIN LEAKAGE

 

 

0.5 ‐ 

10 ‐ 

‐ 

0.8 ‐ 

‐ 

‐ 

10 

GATE LEAKAGE

 

0.001 ‐ 

0.1 

- 

0.1 

V 

THRESHOLD VOLTAGE 

0.8 

0.5 

1.5 

0.1 

1.5  

 

 

Ω 

 

 

DRAIN‐SOURCE‐ON RESISTANCE 

 

 

 

 

58 ‐ 

70 ‐ 

70 

38 ‐ 

45 ‐ 

45 

30 

‐ ‐ 

‐ ‐ 

26 

‐ ‐ 

‐ ‐ 

24 

‐ ‐ 

‐ ‐ 

FORWARD TRANSCONDUCTANCE 

11 

10 ‐ 

10 ‐ 

mS 

0.9 

‐ ‐ 

‐ ‐ 

GATE NODE CAPACITANCE 

 

2.5 ‐ 

3.5 ‐ 

3.5  

 

pF 

DRAIN NODE CAPACITANCE 

1.1 ‐ 

1.5 ‐ 

1.5 

SOURCE NODE CAPACITANCE 

3.7 ‐ 

5.5 ‐ 

5.5 

REVERSE TRANSFER CAPACITANCE 

0.2 ‐ 

0.5 ‐ 

0.5 

TURN‐ON TIME 

0.5 ‐ 

1 ‐ 

1  

ns 

0.6 ‐ 

1 ‐ 

1 

TURN‐OFF TIME 

2 

‐ ‐ 

‐ ‐ 

tf 

6 

‐ ‐ 

‐ ‐ 

SD210DE / SD214DE series N-Channel Enhancement Mode DMOS Lateral Switches

SD210 / SD214 Applications: 

Fast Analog Switching 

Fast Sample & Holds 

Pixel‐Rate Switching 

DAC Deglitchers 

High‐Speed Driver 

SD210 / SD214

Information furnished by Linear Integrated Systems and Micross Components is believed to be accurate and reliable. However, no responsibility is assumed for its use; nor for any infringement of patents

or other rights of third parties which may result from its use. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of Linear Integrated Systems.

Pinout: 

 

 

This is trial version

If you want get full version, please register it, thank you.

www.verypdf.com

Demo (http://www.verypdf.com)

Demo (http://www.verypdf.com)